技術(shù)文章
TECHNICAL ARTICLES
一、藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)
低成本、高質(zhì)量地生長(zhǎng)大尺寸藍(lán)寶石單晶已成為當(dāng)前面臨的迫切任務(wù)??傮w說(shuō)來(lái),藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng)方式可劃分為溶液生長(zhǎng)、熔體生長(zhǎng)、氣相生長(zhǎng)三種,其中熔體生長(zhǎng)方式因具有生長(zhǎng)速率快,純度高和晶體完整性好等特點(diǎn),而成為是制備大尺寸和特定形狀晶體的常用的晶體生長(zhǎng)方式。目前可用來(lái)以熔體生長(zhǎng)方式人工生長(zhǎng)藍(lán)寶石晶體的方法主要有焰熔法、提拉法、區(qū)熔法、導(dǎo)模法、坩堝移動(dòng)法、熱交換法、溫度梯度法、泡生法等。而泡生法工藝生長(zhǎng)的藍(lán)寶石晶體約為目前*的70%。LED藍(lán)寶石襯底晶體技術(shù)正屬于一個(gè)處于正在發(fā)展階段,由于晶體生長(zhǎng)技術(shù)的保密性,其多數(shù)晶體生長(zhǎng)設(shè)備都是根據(jù)客戶(hù)要求按照工藝特點(diǎn)定做,或者采用其他晶體生長(zhǎng)設(shè)備改造而成。
泡生法是Kyropoulos于1926年首先提出并用于晶體的生長(zhǎng),此后相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi),該方法都是用于大尺寸鹵族晶體、氫氧化物和碳酸鹽等晶體的制備與研究。上世紀(jì)六七十年代,經(jīng)前蘇聯(lián)的Musatov改進(jìn),將此方法應(yīng)用于藍(lán)寶石單晶的制備。該方法生長(zhǎng)的單晶,外型通常為梨形,晶體直徑可以生長(zhǎng)到比坩鍋內(nèi)徑小10~30mm的尺寸。其原理與柴氏拉晶法(Czochralski method)類(lèi)似,先將原料加熱至熔點(diǎn)后熔化形成熔湯,再以單晶之晶種(Seed Crystal,又稱(chēng)籽晶棒)接觸到熔湯表面,在晶種與熔湯的固液界面上開(kāi)始生長(zhǎng)和晶種相同晶體結(jié)構(gòu)的單晶,晶種以極緩慢的速度往上拉升,但在晶種往上拉晶一段時(shí)間以形成晶頸,待熔湯與晶種界面的凝固速率穩(wěn)定后,晶種便不再拉升,也沒(méi)有作旋轉(zhuǎn),僅以控制冷卻速率方式來(lái)使單晶從上方逐漸往下凝固,后凝固成一整個(gè)單晶晶碇,下圖即為泡生法(Kyropoulos method)的原理示意圖。泡生法是利用溫度控制來(lái)生長(zhǎng)晶體,它與柴氏拉晶法大的差異是只拉出晶頸,晶身部分是靠著溫度變化來(lái)生長(zhǎng),少了拉升及旋轉(zhuǎn)的干擾,比較好控制制程,并在拉晶頸的同時(shí),調(diào)整加熱器功率,使熔融的原料達(dá)到合適的長(zhǎng)晶溫度范圍,讓生長(zhǎng)速度達(dá)到理想化,因而長(zhǎng)出品質(zhì)理想的藍(lán)寶石單晶。
該方法主要特點(diǎn):
1、在整個(gè)晶體生長(zhǎng)過(guò)程中,晶體不被提出坩堝,仍處于熱區(qū)。這樣就可以控制它的冷卻速度,減小熱應(yīng)力;
2、晶體生長(zhǎng)時(shí),固液界面處于熔體包圍之中。這樣熔體表面的溫度擾動(dòng)和機(jī)械擾動(dòng)在到達(dá)固液界面以前可被熔體減小以致消除;
3、選用軟水作為熱交換器內(nèi)的工作流體,相對(duì)于利用氦氣作冷卻劑的熱交換法可以有效降低實(shí)驗(yàn)成本;
4、晶體生長(zhǎng)過(guò)程中存在晶體的移動(dòng)和轉(zhuǎn)動(dòng),容易受到機(jī)械振動(dòng)影響。
泡生法(Kyropoulos method)之原理示意圖
二、熱應(yīng)力對(duì)藍(lán)寶石晶體加工的影響
藍(lán)寶石晶體(Al2O3)是超高亮度的藍(lán)、白光LED發(fā)光材料GaN常用的襯底材料, 而GaN磊晶的晶體質(zhì)量與所使用的監(jiān)寶石襯底(基板)表面加工質(zhì)量密切相關(guān),尤其是圖形化襯底(PSS)與晶片的表面形貌、翹曲程度聯(lián)系密切,同時(shí),晶片的翹曲程度過(guò)大,會(huì)在平片做GaN磊晶時(shí),平片與外延薄膜脫落,PSS難以聚焦,影響外延品質(zhì)。在藍(lán)寶石襯底的切割、雙面研磨以及單面研磨、拋光過(guò)程中,盡管部分的加工應(yīng)力會(huì)在下一道加工工序釋放,但是這種應(yīng)力釋放是無(wú)序釋放,同時(shí)未釋放的加工應(yīng)力會(huì)在晶片表面集聚,影響藍(lán)寶石晶片的翹曲程度,嚴(yán)重的翹曲會(huì)在后道加工過(guò)程產(chǎn)生破片,影響整個(gè)加工循環(huán)的晶片質(zhì)量。藍(lán)寶石襯底在加工過(guò)程中,必須經(jīng)過(guò)退火處理以降低加工應(yīng)力。
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皓越科技 電子半導(dǎo)體相關(guān)裝備 1、硅晶體及第三代半導(dǎo)體晶體生長(zhǎng)設(shè)備 用于半導(dǎo)體Si晶體、SiC晶體、GaN晶體、AlN晶體和LED基體藍(lán)寶石晶體生長(zhǎng),以及其在基體材料上進(jìn)行外延生長(zhǎng)。 2、晶體熱處理和快速退火設(shè)備 用于半導(dǎo)體行業(yè)晶體生產(chǎn)過(guò)程熱處理工藝,芯片生產(chǎn)氧化及擴(kuò)散工藝,離子注入后快速退火工藝。 3、設(shè)備及周邊產(chǎn)品的售后服務(wù) 提供設(shè)備的安裝調(diào)試、維修保養(yǎng),以及周邊零部件的*工作。 |
藍(lán)寶石晶棒高溫有氧退火爐
高溫有氧退火爐適用于藍(lán)寶石晶棒退火,具有以下優(yōu)勢(shì):
藍(lán)寶石襯底高溫有氧退火爐
高溫有氧退火爐適用于藍(lán)寶石襯底或晶片退火,具有以下優(yōu)勢(shì):
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皓越科技是一家集研發(fā)、生產(chǎn)、銷(xiāo)售電爐為一體的高新技術(shù)企業(yè)。公司一直專(zhuān)注于半導(dǎo)體材料、碳材料、先進(jìn)陶瓷與復(fù)合材料和鋰電材料四大行業(yè),擁有豐富的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)和專(zhuān)業(yè)技術(shù),竭誠(chéng)服務(wù)于客戶(hù),提供完善的一體化產(chǎn)業(yè)解決方案。
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